SI2319DS-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI2319DS-T1-E3 (SILICONIX.)	712	3-4 недели Цена по запросу
SI2319DS-T1-E3 (VISHAY.)	1 455	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Версия для печати

Технические характеристики SI2319DS-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	470pF @ 20V
Power - Max	750mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI2319DS-T1-E3 datasheet