Версия для печати
Технические характеристики L6561

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Напряжение питания	11 V ~ 18 V
Current - Startup	50µA
Mode	Discontinuous (Transition)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6561 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) Power Factor Corrector Также в этом файле: L6561D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6561 datasheet 117.79Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры фактора мощности (PFC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	4 694	9.70
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		245	3.24
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	66 640	2.56
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 389	6.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	387	4.55
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	53 968	2.29
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 532	4.83
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	3.10
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	93	6.06
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	25 063	2.28
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	10 400	2.03
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	45 600	2.19
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.59
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	1 176	2.78
		EL817			EVERLIGHT
		EL817			EVE
		EL817				7	22.20
		EL817			EVL	4 896	6.95
		EL817			4-7 НЕДЕЛЬ	746
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FNR	62 013	5.74
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор			14.40
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA	527 384	5.90
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	430V 14MM
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	ALCO
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	BRIGHT RING	2 220	10.60
		MKP1V240G			ON SEMICONDUCTOR
		MKP1V240G			ONS
		MKP1V240G
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS	13	64.64
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMicroelectronics
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRO
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"