MF-25 (С2-23) 0.25 ВТ, 1 КОМ, 1%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP (К50-35), 1000 МКФ, 50 В, 105°C, TK 13X21, TKR102M1HJ21		JAMICON
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		323	98.28
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
LF357N		ST MICROELECTRONICS
LF357N		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LF357N				227.04
LF357N		4-7 НЕДЕЛЬ	542
MF-25 (С2-23) 0.25 ВТ, 10 ОМ, 1%		ТАЙВАНЬ
К71-7-0.0221МКФ 250 (1%)