Версия для печати
Технические характеристики КС547В2

Мощность рассеяния,Вт	0.5
Минимальное напряжение стабилизации,В	45
Номинальное напряжение стабилизации,В	47
Максимальное напряжение стабилизации,В	49
Статическое сопротивление Rст.,Ом	280
при токе I ст,мА	2.2
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.01
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	10
Рабочая температура,С	-60...100
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kt-27
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КС520В2		транз.		636	9.37
		КС520В2		транз.	П/П 2
		КС520В2		транз.	САРАНСК	4 904	8.48
		КС520В2		транз.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС520В2		транз.	СЗТП	40	37.48
		КС520В2		транз.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КС596В2					13.72
		КС596В2			САРАНСК
		КС596В2			СЗТП
		КС596В2			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ 3126 А			RUS
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		609	15.46
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	612	16.40
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	180	16.96
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	1 620	15.90
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	12.31
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ854А			КРЕМНИЙ	80	98.38
		КТ854А				345	136.16
		КТ854А			БРЯНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"