TL081CDT
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип усилителя | J-FET |
| Число каналов | 1 |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 16 V/µs |
| Полоса пропускания | 4MHz |
| Ток - входного смещения | 20pA |
| Напряжение входного смещения | 3000µV |
| Ток выходной | 1.4mA |
| Ток выходной / канал | 40mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LM2576D2T-005G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM2576D2T-005G | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM2576D2T-005G | ONS | 134 | 257.29 | |||||
| LM2576D2T-005G |
|
|
||||||
| LM2576D2T-005G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM2576D2T-005G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 626 |
|
|||||
| NE-2B 5X13 |
|
|
||||||
| NE-2G 4X10 |
|
|
||||||
| NE-2G 4X10 |
|
|
||||||
| NE-2W 4X10 |
|
|
||||||
| RL0402FR-070R1L | YAGEO | 46 444 |
1.48 >100 шт. 0.74 |
|||||
| RL0402FR-070R1L |
|
6.00 |
