Версия для печати
Технические характеристики STW12NK90Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	880 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3500pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

STW12NK90Z (MOSFET) N-channel 900V - 0.72? - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STW12NK90Z datasheet 271.1 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA1280-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 8K SRAM, JTAG, ...	ATMEL
		ATMEGA1280-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 8K SRAM, JTAG, ...		66	1 135.88
		ATMEGA1280-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 8K SRAM, JTAG, ...	ATMEL CORPORATION
		ATMEGA1280-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 8K SRAM, JTAG, ...	США
		ATMEGA1280-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 8K SRAM, JTAG, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATMEGA1280-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 8K SRAM, JTAG, ...	MICRO CHIP	104	940.21
		ATMEGA1280-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 8K SRAM, JTAG, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	429
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
		BL01RN1A2A2B		Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		1 284	28.21
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		TECAP 50V 0.22UF 20% A			KOME
		UC3845BD1G		Микросхема PWM I-Controller 5V 2% 52kHz	ON SEMICONDUCTOR
		UC3845BD1G		Микросхема PWM I-Controller 5V 2% 52kHz	ONS
		UC3845BD1G		Микросхема PWM I-Controller 5V 2% 52kHz	КИТАЙ
		UC3845BD1G		Микросхема PWM I-Controller 5V 2% 52kHz	ON SEMICONDUCTO
		UC3845BD1G		Микросхема PWM I-Controller 5V 2% 52kHz

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"