STD18N55M5

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
STD18N55M5 (ST MICROELECTRONICS)	1 560	279.58
STD18N55M5	1 548	350.53
STD18N55M5	1 548	350.53

Версия для печати

Технические характеристики STD18N55M5

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	550V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1352pF @ 100V
Power - Max	90W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.