|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V |
| Power - Max | 40W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA2099 | SANYO |
|
|
||||
|
|
2SA2099 |
|
163.36 | |||||
|
|
2SA2099 | SAN |
|
|
||||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SANYO | 4 | 160.06 | |
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | 1 | 127.26 | ||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISC | 1 088 | 20.38 | |
|
|
2SC5888 |
|
346.88 | |||||
|
|
2SC5888 | FUJI ELECTRIC |
|
|
||||
|
|
2SC5888 | SANYO |
|
|
||||
|
|
2SC5888 | SAN |
|
|
||||
| SM4007 (1A 1000V) |
|
|
||||||
| TEA1530AT | NXP |
|
|
|||||
| TEA1530AT |
|
256.80 | ||||||
| TEA1530AT |
|
256.80 | ||||||
| TEA1530AT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 469 |
|