PV32P104, 100 КОМ (3362P-1-104), РЕЗИСТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1000МКФ 25В 12,5X20 («NCC» EKZE250ELL102MK20S)			240
1МКФ100В(5X11,НЕПОЛЯРН.)
1МКФ100В(5X11,НЕПОЛЯРН.)		JAMICON
4700МКФ16В(16X25)105°C
4700МКФ16В(16X25)105°C		JAMICON
4700МКФ16В(16X25)105°C		MATSUSHITA
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А		864	70.69
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	Avago Technologies US Inc
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	AVAGO
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	AVAGO TECHNOLOGIES
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	BRO/AVAG
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	BROADCOM/AVAGO
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	BROADCOM	4 238	94.60
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	AVAGO/BROADCOM
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		7 649	41.40
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР	32	59.29
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	23 380	48.30
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	2 240	123.98
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ