PV32P104, 100 КОМ (3362P-1-104), РЕЗИСТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1000МКФ 25В 12,5X20 («NCC» EKZE250ELL102MK20S)			240
1МКФ100В(5X11,НЕПОЛЯРН.)
1МКФ100В(5X11,НЕПОЛЯРН.)		JAMICON
4700МКФ16В(16X25)105°C
4700МКФ16В(16X25)105°C		JAMICON
4700МКФ16В(16X25)105°C		MATSUSHITA
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А		640	70.69
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	Avago Technologies US Inc
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	AVAGO	201	105.00
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	AVAGO TECHNOLOGIES
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	BRO/AVAG
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	BROADCOM/AVAGO
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	BROADCOM
HCPL-3120-000E	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А	AVAGO/BROADCOM
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		5 838	41.40
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР	32	59.29
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	21 358	48.30
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ