| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
300
|
206.91
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
|
392
|
137.63
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
52
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
429
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
|
|
126.28
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
MICRO CHIP
|
60
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
757
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
144
|
103.32
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
|
|
220.00
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
25
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
638
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
8
|
112.55
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
|
|
169.84
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
26
|
|
|
|
|
TSAL6100 |
|
Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TSAL6100 |
|
Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).
|
|
6 960
|
8.90
|
|
|
|
TSAL6100 |
|
Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TSAL6100 |
|
Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|