MJ11016G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MJ11016G		556.00

Версия для печати

Технические характеристики MJ11016G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 20A, 5V
Power - Max	200W
Frequency - Transition	4MHz
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case)
Корпус	TO-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MJ11015G	TO3	ON SEMICONDUCTOR
MJ11015G	TO3			711.92
MJ11015G	TO3	ONS
MJ11015G	TO3	ON SEMICONDUCTO
MJE15032G	NPN 250V, 8A, 50W	ON SEMICONDUCTOR
MJE15032G	NPN 250V, 8A, 50W		6	194.04
MJE15032G	NPN 250V, 8A, 50W	ONS
MJE15032G	NPN 250V, 8A, 50W	ON SEMIC
MJE15032G	NPN 250V, 8A, 50W	ON SEMICONDUCTO
MJE15032G	NPN 250V, 8A, 50W	ONSEMICONDUCTOR
MJE15032G	NPN 250V, 8A, 50W	JSMICRO	588	43.68
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)			144.00
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS	128	205.78
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMIC
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS-FAIR
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	SPTECH	788	34.71
MJE15033G	Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	JSMICRO	168	43.69
SF18 (1A 600В)	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
СП3-30Г-0,25-2,2 КОМ-20%-А