| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
|
320
|
10.00
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
7 741
|
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
 |
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
22 614
|
2.53
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
48 888
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
39 616
|
1.67
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
45 938
|
1.31
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
22 222
|
1.25
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
7 278
|
1.03
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
3.56
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
62 298
|
2.25
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 858
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
S10K275 |
|
Варистор 43Дж. 275В
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
|
S10K275 |
|
Варистор 43Дж. 275В
|
EPCOS
|
1 058
|
10.50
|
|
|
|
|
S10K275 |
|
Варистор 43Дж. 275В
|
|
98 360
|
18.50
|
|
|
|
|
S10K275 |
|
Варистор 43Дж. 275В
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
|
S10K275 |
|
Варистор 43Дж. 275В
|
TDK (EPCOS)
|
|
|
|
|
|
|
SDR0503-270ML, 27 МКГН |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
Версия для печати
