Версия для печати
Технические характеристики LM35DZ/NOPB

Напряжение питания	4 V ~ 30 V
Тип выхода	Voltage
Температурный диапазон	0°C ~ 100°C
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Точность	±0.6°C
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3
Output Type	Voltage
Accuracy	±0.6°C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Датчики температуры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	19 252	1.22
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz			6.36
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	UNKNOWN
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR	2 416
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS	152
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	Fairchild Semiconductor
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ТАИЛАНД
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ONS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC1
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	HOTTECH	40	4.13
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	JSCJ	1 988	4.39
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс
		MC34152P			ST MICROELECTRONICS
		MC34152P
		MC34152P			ON Semiconductor
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		427	9.20
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	5 992	16.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 560	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"