Версия для печати
Технические характеристики LM35DZ/NOPB

Напряжение питания	4 V ~ 30 V
Тип выхода	Voltage
Температурный диапазон	0°C ~ 100°C
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Точность	±0.6°C
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3
Output Type	Voltage
Accuracy	±0.6°C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Датчики температуры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	801	8.59
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	2 459
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	26 315	2.02
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	648 067	1.26  >100 шт.   0.63
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	FAIR
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	NUOVA MISTRAL
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	PHILIPS
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	FAIRCHILD
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	FAIRCHILD	57
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	Fairchild Semiconductor
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	FSC
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	ONS
		BSR16		Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...	ONS-FAIR
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		345	9.94
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	5 925	14.88
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 400	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000
		КТ313А1				288	5.24
		КТ313А1			ДАЛЕКС
		КТ313А1			АЛЕКСАНДРОВ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"