Версия для печати
Технические характеристики FR605

Diode Type	Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io)	6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 6A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	250ns
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	R6, Axial
Корпус	R-6

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	VISHAY
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	EIC
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	RECTIFIER
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)		12 000	1.16
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	Vishay/Semiconductors
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	-	32	19.40
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	HOTTECH	185 160	4.13
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	КИТАЙ
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	1
		10BQ100		Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)	KEEN SIDE	2 952	3.05
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		3 905	56.70
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ	1 221	63.60
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	190	77.60
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	1527
		MCR100-8G		Тиристор 600В 0,8А	ON SEMICONDUCTOR	3 736	10.60
		MCR100-8G		Тиристор 600В 0,8А		4 240	3.84
		MCR100-8G		Тиристор 600В 0,8А	ONS
		MCR100-8G		Тиристор 600В 0,8А	ON SEMICONDUCTOR
		MCR100-8G		Тиристор 600В 0,8А	ON SEMICONDUCTO
		MCR100-8G		Тиристор 600В 0,8А	LITTELFUSE
		MCR100-8G		Тиристор 600В 0,8А	4671
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...			32.00
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИКРОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ	47	578.59
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН	880	247.97
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
		КТ 349В				15	10.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"