ECAP (К50-35), 4.7 МКФ, 350 В, 105°C, TK 10X13

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603 4.7 КОМ 1% (RC0603FR-074K7)		PHYCOMP
0805 470 КОМ 5%		ELZET
100МКФХ16В
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		314	98.28
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	3 253	19.15
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY	1	29.04
RLB0914-101KL	Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm	BOURNS	764	20.85
RLB0914-101KL	Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm			70.00
RLB0914-101KL	Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm	Bourns Inc