| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ECAP (К50-35), 1 МКФ, 50 В, 105°C |
|
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
|
К10-17Б-NPO-560ПФ 50 (5%) |
|
|
|
|
|
|
 |
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
1 760
|
37.48
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
10 342
|
31.80
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
4
|
169.60
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
 |
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
|
4 565
|
4.42
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМНИЙ
|
2 213
|
11.98
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
МИНСК
|
11 585
|
12.72
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
14852
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 367
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
Версия для печати
