DR-120-48

AC/DC, 120Вт, вход176:264V AC, 47:63Гц /254:370В DC, выход 48В/2.5A, рег. вых=+10%Uном, изоляция 3000В AC, в кожухе на DIN-рейку 100х66х125мм, -10:+50°С

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DR-120-48	27	1 674.24
DR-120-48 (MEAN WELL.)	73	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики DR-120-48

Производитель	Mean Well Enterprises Co., Ltd.
Количество в упаковке	1 шт.
Вес	829.050 г
Мощность	120 Вт
Конструктив	на DIN рейку
Режим стабилизации ток/напряжение	CV
Номинальное входное напряжение AC	230 В
Количество выходов	1 шт.
Эффективность	85 %
Шум	100 мВ
Переключатель входного напряжения	1
Однофазное подключение	есть
Напряжение изоляции вход-выход	3 кВ
Напряжение изоляции вход-корпус	1.5 кВ
Защита от короткого замыкания	есть
Защита от перегрузки	есть
Защита от перенапряжения	есть
Защита от перегрева	есть
Размер	65.5x125.2x100.0
Рабочая температура	-10...60 °C
Температура хранения	-20...85 °C
Сертификат безопасности	UL508, UL 60950-1, TUV EN60950-1 approved
Сертификат ЭМИ	EN55022 class B, EN61000-3-2,3, EN61000-6-2,

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	160.06
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	127.26
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISC
ATMEGA328P-PU	8-разрядный высокопроизводительный микроконтроллер с низким энергопотреблением	ATMEL
ATMEGA328P-PU	8-разрядный высокопроизводительный микроконтроллер с низким энергопотреблением		1	1 290.24
ATMEGA328P-PU	8-разрядный высокопроизводительный микроконтроллер с низким энергопотреблением	MICRO CHIP	989	340.96
ATMEGA328P-PU	8-разрядный высокопроизводительный микроконтроллер с низким энергопотреблением	4-7 НЕДЕЛЬ	552
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА	NXP
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА			114.84
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА	КИТАЙ
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIR
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FSC
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA		23	42.40
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAI/QTC
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	Fairchild Optoelectronics Group
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	США
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD	814	42.40
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONS	1 288	34.74
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONS-FAIR
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ON SEMICONDUCTOR	6	42.40
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONSEMICONDUCTOR
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	YOUTAI	748	22.61
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	UMW
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONSEMI
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	41
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	8
MOC3052M	Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	20	1	36.23
PBS2-40			40	127.65
PBS2-40			40	127.65
PBS2-40		CONNFLY
PBS2-40		NXU
PBS2-40		KLS
PBS2-40		КИТАЙ
PBS2-40		NLT
PBS2-40		242	1	23.20