МБГЧ-1-3Б 500 В 2 МКФ 10%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
КТ626Б | 552 | 3.13 | |||||
|
|
КТ626Б | КРЕМНИЙ | 52 | 24.99 | ||||
|
|
КТ626Б | ТОМСК | 1 444 | 4.24 | ||||
|
|
КТ626Б | БРЯНСК | 5 020 | 6.36 | ||||
|
|
КТ626Б | УЛЬЯНОВСК |
|
|
||||
|
|
КТ626Б | RUS |
|
|
||||
|
|
КТ626Б | 1431 |
|
|
||||
|
|
КТ626Б | 375 |
|
|
||||
|
|
КТ626Б | 6276 |
|
|
||||
 |
 |
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 268 | 49.14 | ||
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 266 | 39.04 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 35 | 48.56 | |
| МЛТ - 0.5 ВТ 100 ОМ 2% | 240 | 2.18 | ||||||
| МЛТ - 0.5 ВТ 470 ОМ 5% | 2 295 | 1.43 | ||||||
| МЛТ - 1 ВТ 22 ОМ 5% | 2 016 | 3.36 |
