IXTY02N120P


Купить IXTY02N120P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTY02N120P MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK
Версия для печати

Технические характеристики IXTY02N120P

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPolar™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C200mA
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs4.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds104pF @ 25V
Power - Max33W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусTO-252, (D-Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXTY02N120P datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход