2РМ22Б10Г1В1Б

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2РМ22Б10Г1В1Б	5	1 982.40
2РМ22Б10Г1В1Б	5	1 982.40

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2РМ18Б7Ш1В1			44	1 898.40
2РМ18Б7Ш1В1		POL-SUN
2РМ18Б7Ш1В1		RUS
2РМ18Б7Ш1В1		РОССИЯ
2РМ18Б7Ш1В1		КАМЕНСК-УРАЛЬСКИЙ	3	1 802.00
КД522Б1		САРАНСК
КД522Б1
КД522Б1
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		800	28.70
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	400	32.79
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 378	33.92
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	31985
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	44836
С2-33Н-0,125-8,45 КОМ-1%			4 384	5.55
СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К		РЕЗИСТОР
СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К