| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
|
272
|
322.00
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
ОАО "НЕОН" Г. ИНСАР
|
|
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
НЕОН
|
1
|
599.26
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
ОРБИТА
|
52
|
516.60
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
CТАРТ
|
|
|
|
|
|
3Л341Г |
|
Светодиод зеленый, круглый, 559нм, 0.5 мКд, 60мА, 2.8В
|
-
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS145N |
|
BCD to Dec Dec драйвер
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
100
|
94.48
|
|
|
|
|
SN74LS145N |
|
BCD to Dec Dec драйвер
|
|
|
36.84
|
|
|
|
|
SN74LS145N |
|
BCD to Dec Dec драйвер
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS145N |
|
BCD to Dec Dec драйвер
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS145N |
|
BCD to Dec Dec драйвер
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LS145N |
|
BCD to Dec Dec драйвер
|
FULIHAO TECH
|
232
|
33.06
|
|
|
|
|
SN74LS145N |
|
BCD to Dec Dec драйвер
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
163
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 262
|
38.16
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
|
|
|
МБГО-2 160В 4МКФ 10% |
|
|
НИКОЛАЕВ
|
|
|
|
|
|
|
МБГО-2 160В 4МКФ 10% |
|
|
|
3
|
106.00
|
|
|
|
|
МБГО-2 160В 4МКФ 10% |
|
|
4
|
|
|
|
|
|
|
ОМЛТ-0,5В-91 ОМ-5% |
|
|
|
|
|
|