MC33269DT-12

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MC33269DT-12	4	55.50
MC33269DT-12	4	55.50
MC33269DT-12 (4-7 НЕДЕЛЬ)	743	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	RECTIFIER
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	VISHAY
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A			238.00
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	IXYS
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	STMicroelectronics
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INFINEON
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	ST MICROELECTRONICS
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	VISHAY
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W		16	351.50
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	Vishay/Siliconix
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	КИТАЙ
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)			77.28
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ONS-FAIR
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ONS
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	4-7 НЕДЕЛЬ	192
КД202Р	Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц		324	90.97
КД202Р	Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	СТАРТ
КД202Р	Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	RUS
КД202Р	Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	СЗТП	52	86.94
КД202Р	Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	П/П 2
КД202Р	Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	РОССИЯ
КД202Р	Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД202Р	Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц	СЗТП САРАНСК
МБГТ-2МКФ 160В (10%)