IRFR024PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFR024PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5Х20ММ 1А (СТЕКЛО) АНАЛОГ ВПБ6-2 БЫСТР. ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ |
|
|
||||||
| 5Х20ММ 2А (СТЕКЛО) АНАЛОГ ВПБ6-2 БЫСТР. ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ |
|
|
||||||
| 5Х20ММ 4А (СТЕКЛО) АНАЛОГ ВПБ6-2 БЫСТР. ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ |
|
|
||||||
| DXI50N-C 0.5W 50OHM | 3 980 | 48.36 | ||||||
| DXI50N-C 0.5W 50OHM | RUICHI |
|
|
|||||
| DXI50N-C 0.5W 50OHM | КИТАЙ | 2 | 93.11 | |||||
| FH-102C |
|
|
||||||
| FH-102C | DCI |
|
|
|||||
| FH-102C | KLS |
|
|
|||||
| FH-102C | DRAGON CITY |
|
|
|||||
| FH-102C | DRAGONCITY |
|
|
|||||
| FH-102C | FBELE |
|
|
