Si4490DY
N-channel 200-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.85A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Power - Max | 1.56W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si4490DY (MOSFET) N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФ 16В (4X5) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В |
|
13.60 | ||||
| 2SK2382 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SK2382 |
|
|
||||||
| 2SK2382 | TOS |
|
|
|||||
 |
 |
MMBD352WT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
|
||||
 |
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) |
|
340.00 | ||
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
