Si4490DY
N-channel 200-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.85A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Power - Max | 1.56W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si4490DY (MOSFET) N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BUZ90 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BUZ90 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUZ90 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
BUZ90 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W |
|
64.24 | ||
|
|
|
BUZ90 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
BUZ90 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | ISC |
|
|
|
|
|
|
BUZ90 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | ISCSEMI |
|
|
|
| HGT1S20N60C3S | FAIR |
|
|
|||||
| UCC2894DR |
|
292.00 | ||||||
| UCC2894DR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| UCC2894DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 300 |
|
|||||
| КР1014КТ111В |
|
|
||||||
| КР1014КТ111В | ПРОТОН |
|
|
|||||
 |
ЭКФ1533ТМ2 |
|
48.00 | |||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | ЗПП |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | ЗПП МИНСК |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | МИНСК | 1 436 | 25.20 | ||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | ИНТЕГРАЛ | 1 | 37.80 | ||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | RUS |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | 360 |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | 635 |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | 800 |
|
|
