BSP125

Версия для печати

Технические характеристики BSP125

Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 94µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	150pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	PG-SOT223-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.