561ЛП2

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
16K1 F 500K			10 732	15.67
16K1 F 500K		RUICHI
16K1 F 500K			10 732	15.67
К 561 ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
К73-17-250-0.1 10% ИМП.	Комбинированный конденсатор 0.1мкФ, 250В, 10%	SUNTAN
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...		4 068	29.44
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	14 986	33.60
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ЗПП МИНСК
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	RUS
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ	668	56.85
КП501А	Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ-С
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2 824	15.12
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	507	13.61
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ