SI4435DYPBF


Купить SI4435DYPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4435DYPBF
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI4435DYPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 756 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4435DYPBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2320pF @ 15V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход