IRLR6225PBF
|
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 21A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3770pF @ 10V |
| Power - Max | 63W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252AA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82464G4103M000 | EPCOS |
|
|
|||||
| B82464G4103M000 |
|
|
||||||
| B82464G4103M000 | TDK-EPC | 1 845 | 103.36 | |||||
| LQM31PN2R2M00L |
|
42.64 | ||||||
| LQM31PN2R2M00L | MUR | 4 107 | 7.93 | |||||
| LQM31PN2R2M00L | MURATA | 993 | 14.74 | |||||
| LQM31PN4R7M00L | MUR | 8 806 | 9.45 | |||||
| LQM31PN4R7M00L |
|
|
||||||
| LQM31PN4R7M00L | MURATA | 2 257 | 14.30 | |||||
| С2-10-0.125 ВТ 3.32КОМ 1% | 60 | 5.04 | ||||||
| С2-10-0.125 ВТ 39.2 ОМ 0.5% | 1 992 | 6.72 |
