|
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 21A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3770pF @ 10V |
| Power - Max | 63W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252AA |
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ARL-5213RGBC/4C, СВ.ДИОД, 5 ММ,КРУГЛ. 2700MCD, ARL 3V | ARL |
|
|
|||||
| DCP021212DU |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 2W Uвых=+12V Iвых=0,016А | TEXAS INSTRUMENTS | 11 | 1 263.41 | |||
| DCP021212DU |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 2W Uвых=+12V Iвых=0,016А |
|
2 480.00 | ||||
| DCP021212DU |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 2W Uвых=+12V Iвых=0,016А | TEXAS |
|
|
|||
| DCP021212DU |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 2W Uвых=+12V Iвых=0,016А | 4-7 НЕДЕЛЬ | 212 |
|
|||
| TPS7A4901DGNR | TEXAS INSTRUMENTS | 41 | 49.38 | |||||
| TPS7A4901DGNR | 16 | 56.25 | ||||||
| TPS7A4901DGNR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS7A4901DGNR | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS7A4901DGNR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 226 |
|
|||||
| TPS7A4901DGNR | 30 |
|
|
|||||
| С2-10-0.125 ВТ 1.3 КОМ 1% | 480 | 5.04 | ||||||
| С2-10-0.125-274D |
|
|
||||||
| С2-10-0.125-274D | ОАО "НПО "ЭРКОН",Н.НОВГОРОД |
|
|