IRLR6225PBF
|
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 21A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3770pF @ 10V |
| Power - Max | 63W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252AA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADM1818-10ART-RL7 | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ARL-5213RGBC/4C, СВ.ДИОД, 5 ММ,КРУГЛ. 2700MCD, ARL 3V | ARL |
|
|
|||||
| DCP021212DU |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 2W Uвых=+12V Iвых=0,016А | TEXAS INSTRUMENTS | 11 | 1 377.25 | |||
| DCP021212DU |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 2W Uвых=+12V Iвых=0,016А |
|
2 480.00 | ||||
| DCP021212DU |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 2W Uвых=+12V Iвых=0,016А | TEXAS |
|
|
|||
| DCP021212DU |
|
DC/DC-Преобразователь изолированный 2W Uвых=+12V Iвых=0,016А | 4-7 НЕДЕЛЬ | 212 |
|
|||
 |
 |
IRLR3410PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный с управлением логическим уровнем, 100В, 15A, 0.1Ом | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLR3410PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный с управлением логическим уровнем, 100В, 15A, 0.1Ом |
|
97.60 | ||
|
|
|
IRLR3410PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный с управлением логическим уровнем, 100В, 15A, 0.1Ом | INTERNATIONAL RECTIFIER | 28 |
|
|
|
|
|
IRLR3410PBF |
|
МОП-Транзистор, N-канальный с управлением логическим уровнем, 100В, 15A, 0.1Ом | INFINEON |
|
|
|
| К77-1В-63В-1 МКФ-5% |
|
|
