|
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 26A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 78nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3620pF @ 10V |
| Power - Max | 2.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VQFN Exposed Pad |
| Корпус | PQFN (3x3) |
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CC1206KKX5R8BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 25B | YAGEO | 87 366 | 2.42 | ||
|
|
CC1206KKX5R8BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 25B |
|
117.52 | |||
|
|
CC1206KKX5R8BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 25B | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
CC1206KKX5R8BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 25B | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
| CC1206KRX7R8BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | YAGEO | 46 000 |
1.38 >100 шт. 0.69 |
|||
| CC1206KRX7R8BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В |
|
|
||||
| CC1210MKX5R5BB107 |
|
Керамический конденсатор 100 мкФ 6.3 В | YAGEO | 26 066 | 13.37 | |||
| CC1210MKX5R5BB107 |
|
Керамический конденсатор 100 мкФ 6.3 В |
|
|
||||
| RC1206FR-0710KL | YAGEO | 468 493 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| RC1206FR-0710KL | YAGEO | 3 200 |
|
|||||
| RC1206FR-0710KL |
|
|
||||||
| RC1206JR-071KL | YAGEO | 3 540 | 1.03 | |||||
| RC1206JR-071KL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC1206JR-071KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206JR-071KL |
|
|