|
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 48A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 29A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | 83 | 5.55 | ||
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | KEC |
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | NEC |
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | UTC |
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | HGF |
|
|
|
| КТ 368А |
|
|
||||||
|
|
КТ6116А | 801 | 12.49 | |||||
|
|
КТ6116А | МИНСК |
|
|
||||
|
|
КТ6116А | ИНТЕГРАЛ | 8 | 12.49 | ||||
|
|
КТ639Е | 1 | 6.80 | |||||
|
|
КТ639Е | КРЕМНИЙ | 84 | 26.55 | ||||
|
|
КТ639Е | БРЯНСК |
|
|
||||
|
|
КТ681А | 180 | 22.68 | |||||
|
|
КТ681А | ДАЛЕКС |
|
|
||||
|
|
КТ681А | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ681А | ЭЛЕКС | 532 | 14.05 |