|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 mOhm @ 195A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 195A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9200pF @ 25V |
| Power - Max | 380W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRFSL3004PbF (MOSFET) 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SA-10-1000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 10 В | TREC |
|
|
|||
| SA-10-1000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 10 В |
|
17.12 | ||||
| SA-10-1000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 10 В | КИТАЙ |
|
|
|||
| К78-2-0.022МКФ 1000 (10%) |
|
|