|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 26A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 45A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4560pF @ 25V |
| Power - Max | 330W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRFS4229PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZV-85C-33V-1.3W |
|
|
||||||
|
|
BZV85-C13 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZV85-C13 | PHILIPS | 19 652 |
|
||||
|
|
BZV85-C13 | NXP |
|
|
||||
| BZV85C15 СТ | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZV85C15 СТ |
|
|
||||||
| MF3.0 2X01MR | AUK |
|
|
|||||
| MF3.0 2X01MR |
|
|
||||||
| MF3.0 2X01MR | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| MF3.0 2X01MR | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| MF3.0 2X01MR | KLS |
|
|
|||||
| RC2512JK-0710KL | YAGEO | 89 847 | 3.06 | |||||
| RC2512JK-0710KL |
|
|