IRFR9N20DPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR9N20DPBF (INFINEON)	1 040	54.76

Версия для печати

Технические характеристики IRFR9N20DPBF

Power - Max	86W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5.6A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.