IRFH5006TR2PBF
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4175pF @ 30V |
| Power - Max | 3.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerVQFN |
| Корпус | PQFN (5x6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
