Версия для печати
Технические характеристики IRF7314TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	780pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ON SEMICONDUCTOR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	UTC
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	800	14.05
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	332
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	DC COMPONENTS	9 289	7.11
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	Fairchild Semiconductor
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	STMicroelectronics
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	MOTOROLA
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	КИТАЙ
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)		28	15.12
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS-FAIR
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS
		2N7000		Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	1
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	TSC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C			8.00
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	DIOTEC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS	37 063
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	NXP	5 142
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	PHILIPS SEMIC
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	YJ	4 188	2.96
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	HOTTECH
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	KEEN SIDE	720	1.41  >500 шт.   0.47
		BC857A		Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C	MERRYELC
		BSH201		P-channel enhancement mode mos transistor	NXP
		BSH201		P-channel enhancement mode mos transistor	PHILIPS
		BSH201		P-channel enhancement mode mos transistor			18.00
		BSH201		P-channel enhancement mode mos transistor	NXP
		BSH201		P-channel enhancement mode mos transistor	PHILIPS	40
		BSH201		P-channel enhancement mode mos transistor	JSMICRO	1 547	7.07
		CA6H-220		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	ACP
		CA6H-220		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный			17.08
		MC74AC132DG			ON SEMICONDUCTOR
		MC74AC132DG			ONS
		MC74AC132DG			ON SEMIC
		MC74AC132DG			ON SEMICONDUCTO
		MC74AC132DG

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"