IRF6713STR1PBF


Купить IRF6713STR1PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF6713STR1PBF MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
Версия для печати

Технические характеристики IRF6713STR1PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 mOhm @ 22A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C22A
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs32nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2880pF @ 13V
Power - Max2.2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric SQ
КорпусDIRECTFET™ SQ
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRF6713STR1PBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход