|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Power - Max | 130W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5401Y | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| 2N5401Y | ON SEMI/FAIRCH |
|
|
|||||
| 2N5401Y | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N5401Y | FSC |
|
|
|||||
| 2N5401Y | ONS |
|
|
|||||
| 2N5401Y |
|
|
||||||
| 2N5551-Y | FAIR |
|
|
|||||
| 2N5551-Y |
|
8.00 | ||||||
| 2N5551-Y | FSC |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | КИТАЙ |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | ON SEMI/FAIRCH |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | ONS |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| 2N5551-Y | LGE |
|
|
|||||
|
|
|
2SD669AC |
|
Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц | HITACHI |
|
|
|
|
|
|
2SD669AC |
|
Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц | UTC | 1 | 31.78 | |
|
|
|
2SD669AC |
|
Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц |
|
40.00 | ||
|
|
|
2SD669AC |
|
Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц | HIT |
|
|
|
| FR4 100X100X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ |
|
218.80 | ||||||
| FR4 100X100X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ | ЦПТА |
|
|
|||||
|
|
|
IRF9530NS |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF9530NS |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET |
|
|
||
|
|
|
IRF9530NS |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | INFINEON |
|
|