IRF3710ZPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF3710ZPBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	59A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 35A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2900pF @ 25V
Power - Max	160W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HSMS-2822-TR1G		AVAGO
HSMS-2822-TR1G				135.00
HSMS-2822-TR1G		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2822-TR1G		Avago Technologies US Inc
HSMS-2822-TR1G		AVAGO TECHNOLOGIES
HSMS-2822-TR1G		BRO/AVAG
HSMS-2822-TR1G		BROADCOM
IR4427STRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IR4427STRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IR4427STRPBF		INFINEON	2 560	67.47
IR4427STRPBF			2 101	76.46
KP-1608VGC-A		KB
KP-1608VGC-A				47.52
KP-1608VGC-A		KINGBRIGHT	301	64.06
KP-1608VGC-A		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
KP-1608VGC-A		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
KP-1608VGC-A		KGB	6 939	27.93
PMBD7000	Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)	NXP
PMBD7000	Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)	PHILIPS
PMBD7000	Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)			12.00
PMBD7000	Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)	NXP	20 096
PMBD7000	Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)	PHILIPS	86
SN74AHC1G00DBVR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74AHC1G00DBVR			3 682	5.27
SN74AHC1G00DBVR		TEXAS INSTRUMENTS	818
SN74AHC1G00DBVR		TEXAS
SN74AHC1G00DBVR		ТI
SN74AHC1G00DBVR		4-7 НЕДЕЛЬ	365