521СА2 (200Г)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...		4	248.40
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	ФОТОН
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	АЛЕКСАНДРОВ
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	ЭЛЕКС
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	RUS
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	ДАЛЕКС	112	249.60
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	АЛЕКСАНДПОВ
2П303Е	Транзисторы полевые кремниевые с затвором на основе p-n перехода ,N-канал, для ...	КРИПТЕХНО	120	480.00
2Т3108В				216.00
2Т3108В		АЛЬФА РИГА
2Т3108В		РИГА
2Т3108В		ЭКСПОРТ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц			203.92
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК	10	1 260.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 412
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
2Т632А				374.40
2Т632А		АЛЕКСАНДРОВ
2Т632А		ЭЛЕКС
2Т632А		ДАЛЕКС	1	480.00
КТ626В			17	15.12
КТ626В		КРЕМНИЙ	266	22.68
КТ626В		ТОМСК
КТ626В		БРЯНСК