| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AT89C51RC-24PU |
|
8- битный микроконтроллер MCS-51 (32K Flash (1000 циклов), Vcc=4.0-5.5V, 0-24MHz, 512 ...
|
ATMEL
|
221
|
815.13
|
|
|
|
AT89C51RC-24PU |
|
8- битный микроконтроллер MCS-51 (32K Flash (1000 циклов), Vcc=4.0-5.5V, 0-24MHz, 512 ...
|
|
16
|
543.90
|
|
|
|
AT89C51RC-24PU |
|
8- битный микроконтроллер MCS-51 (32K Flash (1000 циклов), Vcc=4.0-5.5V, 0-24MHz, 512 ...
|
MICRO CHIP
|
572
|
809.00
|
|
|
|
AT89C51RC-24PU |
|
8- битный микроконтроллер MCS-51 (32K Flash (1000 циклов), Vcc=4.0-5.5V, 0-24MHz, 512 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
136
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 338
|
2.62
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
14 685
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
784 781
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
441 359
|
1.05
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
220
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
29 526
|
1.18
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
4 800
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
95 484
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
119 289
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
222 960
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
132 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 552
|
309.96
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
|
|
341.24
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C1001-10F1 |
|
UV EPROM 5V 128Kx8 100ns
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
732
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
532
|
34.36
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
1
|
44.93
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC TAEJIN
|
392
|
14.35
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC
|
2 095
|
19.46
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
320
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
|
44
|
53.80
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
МСХ1
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
ЛАТВИЯ
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
АЛЬФА РИГА
|
440
|
113.65
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
АЛЬФА
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|