|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
24 904
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
27
|
4.44
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PANJIT
|
2 118
|
2.15
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
27 600
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ASEMI
|
3 080
|
1.22
|
|
|
|
К73-17-630-0.047 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.047мкФ, 630В, 10%
|
|
|
6.36
|
|
|
|
К73-17-630-0.047 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.047мкФ, 630В, 10%
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.047 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.047мкФ, 630В, 10%
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.047 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.047мкФ, 630В, 10%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.047 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.047мкФ, 630В, 10%
|
ПРОМТЕЗКЗК
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.047 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.047мкФ, 630В, 10%
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
КТ626В |
|
|
|
17
|
15.12
|
|
|
|
КТ626В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
22.68
|
|
|
|
КТ626В |
|
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
КТ626В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
|
740
|
36.80
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
75.60
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
2 850
|
96.60
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
|
3 724
|
27.75
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
24.57
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
RUS
|
|
|
|