IRLL024N
Транзистор полевой SMD
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLL024N (N-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
AN5512 |
|
TV кадpовая pазвеpтка | MATSUSHITA |
|
|
|
|
|
|
AN5512 |
|
TV кадpовая pазвеpтка | 1 | 218.30 | ||
|
|
|
AN5512 |
|
TV кадpовая pазвеpтка | MAT |
|
|
|
|
|
|
AN5512 |
|
TV кадpовая pазвеpтка | PAN |
|
|
|
|
|
|
AN5512 |
|
TV кадpовая pазвеpтка | СИНГАПУР |
|
|
|
|
|
|
AN5512 |
|
TV кадpовая pазвеpтка | 4-7 НЕДЕЛЬ | 484 |
|
|
 |
|
L-7104SRC-E |
|
KB |
|
|
||
|
|
|
L-7104SRC-E |
|
KINGBRIGHT |
|
|
||
|
|
|
L-7104SRC-E |
|
|
7.60 | |||
|
|
|
L-7104SRC-E |
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
L-7104SRC-E |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
L-7104SRC-E |
|
КИТАЙ |
|
|
||
|
|
|
L-7104SRC-E |
|
KGB |
|
|
||
|
|
|
L-7104SRC-E |
|
SQ |
|
|
||
|
|
MC78M05ABDTG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG | ONS |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG |
|
39.44 | |||||
|
|
MC78M05ABDTG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 65 |
|
||||
 |
NJM78L03UA-TE1 | MATSUSHITA |
|
|
||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | JRC | 5 805 | 12.91 | ||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 |
|
42.00 | |||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | NJR |
|
|
||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 238 |
|
||||
| С5-5В-8 51 ОМ 1% |
|
|
