![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 54A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 104A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL2505S (N-канальные транзисторные модули) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRL2505S
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
3Л107Б | 48 | 1 769.04 | |||||
![]() |
3Л107Б | НИИПП ТОМСК |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
3Л107Б | ТОМСК | 172 | 525.00 | ||||
![]() |
![]() |
IR2113STR |
![]() |
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IR2113STR |
![]() |
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A | INTERNATIONAL RECTIFIER | 9 |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IR2113STR |
![]() |
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
ТИМ-188В |
![]() |
![]() |
||||||
ТИМ-188В |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|