IRL2203N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRL2203N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	40	144.45
IRL2203N		116.24

Версия для печати

Технические характеристики IRL2203N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 60A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	116A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3290pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL2203NL (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=30V, Rds (on) =7.0mohm, Id=116AРЃРЅ)

Также в этом файле: IRL2203NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRL2203N datasheet
133.04Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2761	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 10A, 50W)	FUJITSU
2SK2761	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 10A, 50W)	FUJI ELECTRIC	4	206.91
2SK2761	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 10A, 50W)		2	189.00
2SK2761	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 10A, 50W)	FUJI
2SK2761	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 10A, 50W)	FUJ
2SK2761	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 10A, 50W)	ГЕРМАНИЯ
NCP1014AP-06		ON SEMICONDUCTOR
NCP1014AP-06
NCP1014AP-06		ONS
NCP1014AP-06		4-7 НЕДЕЛЬ	790
SG6841S(Z)		SGC
SG6841S(Z)		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SG6841S(Z)				127.92
SG6841S(Z)		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SG6841S(Z)		4-7 НЕДЕЛЬ	222
SMA-C174P	SMA штекер обжимной на RG-174, 50Ом	BM	33	296.79
SMA-C174P	SMA штекер обжимной на RG-174, 50Ом		6	226.92
SMA-C174P	SMA штекер обжимной на RG-174, 50Ом	КИТАЙ
SMA-C174P	SMA штекер обжимной на RG-174, 50Ом	RUICHI	105	29.74
VS-40CTQ045		VISHAY
VS-40CTQ045