IRGB5B120KD
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
IRGB5B120KD |
 |
274.72
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRGB5B120KD
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 6A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
| Power - Max | 89W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRGB5B120KD
Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Производитель:
International Rectifier
|
