Версия для печати
Технические характеристики IRFR1205

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	44A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	107W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR1205 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFR1205 datasheet 146.29Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		3 668	22.86
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR	8 632	17.18
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	3 895	24.50
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	EVVO	1 326	15.39
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)			380.84
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	МЕКСИКА
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.05
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
		STM32F100C4T6B		32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...	ST MICROELECTRONICS	4 064	316.50
		STM32F100C4T6B		32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...		141	312.61
		STM32F100C4T6B		32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...	STMicroelectronics
		STM32F100C4T6B		32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STM32F100C4T6B		32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...	МАЛАЙЗИЯ
		STM32F100C4T6B		32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...	ST MICROELECTRO
		STM32F100C4T6B		32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...	STMICROELECTR
		STM32F100C4T6B		32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...	4-7 НЕДЕЛЬ	501
		К500ЛП216					46.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"