IRFI4019H-117P
Hexfet power mosfets dual n-channel
|
Версия для печати
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 5.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 810pF @ 25V |
| Power - Max | 18W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-5 Full Pack |
| Корпус | TO-220-5 Full-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFI4019H-117P (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5259B T/B | DC COMPONENTS | 437 |
2.00 >100 шт. 1.00 |
|||||
| MF-0.25-47K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
|
|
|||
| MF-0.25-47K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический |
|
2.84 | ||||
| SK063M2200B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK063M2200B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK063M2200B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK100M0470B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK100M0470B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| T491C475K035AT | KEMET | 292 | 15.69 | |||||
| T491C475K035AT | МЕКСИКА |
|
|
|||||
| T491C475K035AT |
|
|
||||||
| T491C475K035AT | KEMET |
|
|
