IRF9952

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF9952		40.52

Версия для печати

Технические характеристики IRF9952

Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	N and P-Channel
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A, 2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	190pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF9952 (N/P-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF9952 datasheet
136.72Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
GX16 16M-4A
GX16 16M-4A
GX16 16M-4A		КИТАЙ
GX16 16M-4B
GX16 16M-4B
GX16 16M-4B		КИТАЙ
IRF7309	Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	65.59
IRF7309	Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...		1	63.00
IRF7309	Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7309	Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	МАЛАЙЗИЯ
IRF7309	Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INFINEON
IRF7309	Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	1
UC3843AD8G4		Texas Instruments
UC3843AD8G4		TEXAS
UC3843AD8G4
UC3843AD8G4		UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C	88
UC3843AD8G4		4-7 НЕДЕЛЬ	314
VS-80CPQ150		VISHAY
VS-80CPQ150