Версия для печати
Технические характеристики IRF7855

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1560pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...			424.00
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	Analog Devices Inc
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	США
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES	9
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	AD1
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	JSMICRO	1 269	75.95
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	102
		IR2101S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.	INTERNATIONAL RECTIFIER	26	189.00
		IR2101S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.			126.08
		IR2101S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.	ТАИЛАНД
		IR2101S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.	INFINEON
		IR2101S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.	1
		IR2101S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.	4-7 НЕДЕЛЬ	288
		LM5007MM			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM5007MM			NSC
		LM5007MM					347.08
		LM5007MM			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM5007MM			TEXAS INSTRUMENTS
		LM5007MM			TEXAS
		LM5007MM			TEXAS INSTRUMENTS	26
		LM5007MM			4-7 НЕДЕЛЬ	493
		MCP2515-I/ST		Микросхема CAN контроллер SPI	MICRO CHIP
		MCP2515-I/ST		Микросхема CAN контроллер SPI		1 296	124.19
		MCP2515-I/ST		Микросхема CAN контроллер SPI	MICRO CHIP	30
		MCP2515-I/ST		Микросхема CAN контроллер SPI	Microchip Technology
		MCP2515-I/ST		Микросхема CAN контроллер SPI	MCHIP
		MCP2515-I/ST		Микросхема CAN контроллер SPI	4-7 НЕДЕЛЬ	368
		NFM55PC155F1H4L		Фильтр помехоподавляющий EMI	MUR
		NFM55PC155F1H4L		Фильтр помехоподавляющий EMI	MURATA
		NFM55PC155F1H4L		Фильтр помехоподавляющий EMI	MURATA
		NFM55PC155F1H4L		Фильтр помехоподавляющий EMI			627.92

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"