Версия для печати
Технические характеристики IRF7316

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	710pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7316 30V Dual P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7316 datasheet 103.91Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206 NP0 270PF 5% 50V
		1206 NP0 270PF 5% 50V			KOME
		1206-NP0-220PF 5% 50V		Керамический конденсатор 220 пФ 50 В	KOME
		1206-NP0-220PF 5% 50V		Керамический конденсатор 220 пФ 50 В			2.68
		AD8099ARDZ		Операционный усилитель бипл., с отключением, 700 МГц, 1350 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 2,3 ...	ANALOG DEVICES
		AD8099ARDZ		Операционный усилитель бипл., с отключением, 700 МГц, 1350 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 2,3 ...			530.00
		AD8099ARDZ		Операционный усилитель бипл., с отключением, 700 МГц, 1350 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 2,3 ...	ANALOG
		AD8099ARDZ		Операционный усилитель бипл., с отключением, 700 МГц, 1350 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 2,3 ...	Analog Devices Inc
		AD8099ARDZ		Операционный усилитель бипл., с отключением, 700 МГц, 1350 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 2,3 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	260
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	35	32.22
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INFINEON TECHNOLOGIES
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	INFINEON
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	260
		IRF7341PBF		Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A	86
		LMH6624MA			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMH6624MA					411.68
		LMH6624MA			NSC
		LMH6624MA			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMH6624MA			4-7 НЕДЕЛЬ	332

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"